Кратко рассмотрены два основных способа получения полупроводниковых гетероструктур: метод молекулярно-лучевой эпитаксии и метод осаждения пленок из металлоорганических соединений. Изложены общие представления о физических явлениях, определяющих процесс роста гетероструктуры и качество гетерограниц
