В данной лабораторной работе рассматриваются физические основы метода Оже-спектроскопии и его применение для определения элементного состава поверхности полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов старших курсов и магистратуры физического факультета, обучающихся по специальностям ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и ''Физика полупроводников. Микроэлектроника'', направление специализации - ''Физика твердотельных наноструктур''. Пособие подготовлено в рамках работ по проекту ''Научно-образовательный центр Физика твердотельных наноструктур Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского'' Российско-американской программы ''Фундаментальные исследования и высшее образование''

Скачать книгу бесплатно (pdf, 1.35 Mb)   |  Читать «Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы»