Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульсов переходных токов и напряжений. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 551100 и специальностям 200800, 220500 при изучении дисциплин ''Физические основы микроэлектроники'', ''Математическое моделирование в микроэлектронике''
